高纯水标准

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1 主题内容与通用范围

本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。

本标准适用于去离子处理后的高纯水。

2 引用标准  
GB11446电子级水及其检测方法

3术语
3．1 电导率electrical conductivityctricalconduc2ivity

在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。

水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。

3．2电阻率 resistivity

电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。

3．3颗粒性物质granular sulbstance

除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。

3．4总有机碳(TOC)total organic carbon

水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。

3．5总固体 total solid

水样蒸发、烘干后残留的固总量。

3. 6全硅 total silicon

 水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。

3．7高纯水high-pure water, ultrapure water

电阻率在5MΩ•cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水
 
3．8原水raw watcr
 
纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。

3．9终端 terminal。

高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水

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3．10微量micro-amount

试样量在1mg左右。

3．11 痕量 trace amount

试样量在1μg左右。

3．12百万分之一(ppm) part per million

重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升

水样含杂质的毫克数(mg／L)。

3．13十亿分之一(ppb)part per billion

重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／L)。

4高纯水的级别

4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号EH和pH标志。

4. 2电子级高纯水

4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：

a．具有精细图形结构；

b．对器件表面有特殊要求；

c．工艺对水质有特定的严格要求。

4．2．2电子级高纯水分为两个级别：特级和I级。它们的标志分别是：

特级电子级高纯水：EH—T

一级电子级高纯水：EH—1

4．3普通高纯水

4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。 

4．3．2普双高纯水分为三个级别：Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是：

I级普通高纯水：pH—Ⅰ
x级普通高纯水：PH—Ⅱ
m级普通高纯水：pH—Ⅲ

4. 4电阻率低于5MΩ•cm的水不能称为高纯水。

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