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纳米氧化铝(VK-L30JY)杂化聚酰亚胺薄膜的电性能

发布日期:2010-07-31 14:55:39 656

纳米氧化铝VK-L30JY杂化聚酰亚胺薄膜的电性能研究

 

绝缘材料PI薄膜耐电晕时间由于纳米氧化铝VK-L30JY的掺入有很大提高。相同实验条件下,未掺杂PI薄膜的耐电晕时间为42 h,掺杂氧化铝23%的PI薄膜(膜厚12um)的耐电晕时间**低为120.5 h,耐电晕寿命提高30倍以上,

 

耐电晕性能提高的原因是掺杂了纳米氧化铝VK-L30JY后,在PI薄膜中形成了一层由纳米氧化物组成的保护层。纳米氧化铝VK-L30JY可能形成了一定网状结构,在网状结构当中存在可以俘获载流子的陷阱结构,被俘获的载流子形成了空间电场,使加在薄膜上的电场强度变小,电晕老化延缓。这可从下述现象得到验证:测试时,加上电压立即发生电晕,经34 h后,电晕放电减弱。且A1O键的断裂能高于cccN键,具较高热稳定性和抗氧化性,可大幅度提高材料的耐电晕性能。此外,由于纳米氧化铝VK-L30JY的体积电阻率小于PI,无机-A-O-网络可均化电晕时注入材料的空间电荷,减弱局部放电强度 延缓材料老化。

 

实验结果表明,在相同条件下,掺杂氧化铝23%的PI薄膜的耐电晕时间比未掺杂PI薄膜提高30倍以上;介电常数e 较未掺杂PI大;介质损耗tand则相差不大;掺杂纳米氧化铝23 PI薄膜中无机团簇分布均匀,尺寸为50200 nm

 

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